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120μmX60μm 侧入光监视PD芯片

型号:XSJ-10-EMPD-120RB

该XSJ-10-EMPD-120RB是侧面入光的InGaAs InP PIN监测光探测器芯片,为平面结构。阳极和阴极在正面,背面金属化,芯片侧面探测窗口是120umX60um,适合于数据中心和电信边射型激光器,在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度,适用于非气密性封装。

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描述

产品特点

  1. PN电极位于顶部
  2. 侧边可探测区域:100μmX60μm
  3. 高响应度,低暗电流
  4. 支持共晶工艺
  5. 100%测试和外观检测
  6. 满足非气密性封装要求
  7. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
  8. 符合 RoHS2.0要求 (2011/65/EU)

应用领域

  1. LD后向光功率监测
  2. FTTH数字光通信
  3. 光互联

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